万级的无尘车间就足够了。
在化学实验室初步处理过的基础材料再度进行了深层次处理，韩元又检查了一遍需要使用的仪器和材料。
确认所有的东西都准备就绪后，韩元拉过拍摄镜头，道：“‘化学气相沉积-硅核心外延法’一共有七个步骤。”
“第一步：提供可供预处理的基底。”
“第二步：清洗。”
“第三步：提供可供单晶硅外延生长的腔体，腔体内设有基底储放装置，并将基底放置于基底储放装置上。”
“第四步：向制备仪器腔体内通入还原性气体，并将腔体内压强和温度调至制取时所需要的压强和温度。”
“第五步：向制备仪器腔体内通入气态硅源，在基底表面生成预设厚度的牺牲层。”
“第六步：控制时间，让单晶硅层在牺牲层上方形成。”
“第七步：将单晶硅层和牺牲层的连接体与基底分离。”
“七步程序，都可以使用计算机程序进行监控和控制，所（本章未完，请翻页）
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