奔跑的时候，我们就应该另辟蹊径，甚至，即便没有设备上的桎梏，我们也需要对芯片的架构设计上进行升级。”
说着苏远山开始翻页。
“这是此前被纳入标准的finfet结构，相比平面型mosfet结构，它增大了栅围绕沟道的面，加强了栅对沟道的控制，从而可以有效缓解平面器件中出现的短沟道效应，大幅改善电路控制并减少漏电流，也可以大幅缩短晶体管的栅长，也正由于该特性。它无须高掺杂沟道，因此能够有效降低杂质离子散射效应，提高沟道载流子迁移率……”
“当然，它的实现，对工艺的要求也极高，甚至在目前看来，只有在30nm以内的制程工艺中，它才拥有必要性。但无论何种结构，随着芯片的设计越来越复杂，整合程度越来越高，所以，在未来的工艺流程上，刻蚀的步骤都将会变得越来越重要。”
苏远山视线望向了第三排。
尹志尧就坐在中间靠边的位置，安静得就像个无事人一样——中微电子的刻蚀机已经拿下了德远的订单。
苏远山再次翻页，显出了麒麟soc的设计图。
……（我操，别真成了写报告了……打住。）
随着苏远山不断翻页，时间也慢慢流逝，不知不觉中，便已经过去了一个半小时。
这时大家才明白，他刚上场的时候说的自己是最后一个致谢的是什么意思——感情等他讲完就该散会了。
伴随着再一次的翻页，最后终于露出了结语二字。
当然，因为演讲资料都同步发到了每个人的手中，大家也知道，该到了结束的时候了。
毕竟苏远山用了一个半小时，从材料到技术到运用，他几乎全部讲了个遍。
但没有人因此而失去耐心，甚至大家都希望他能够讲得更久一些，把半导体的未来描绘得跟清晰一些。
不少人已经陷入了思索。
毫无疑问，今天苏远山的演讲，是迄今为止，整个半导
