作为站在“人造物品”最巅峰的芯片行业,工艺技术的重要性其实要远远大过设备——最简单的例子,在后世,台积电的7nm一骑绝尘,格罗方得,三星,联电、ti之流拍马也追不上,intel的10nm更是跳票多年——要知道,他们可是没有任何限制的。
至于后面三星追上,也是因为老梁过去了。
想到梁孟松苏远山就一阵心疼,去年梁孟松依旧沿着原先的轨迹跳槽回到了台积电。而彼时的远芯,是连和人家接触的资格都没有的……
人家是晶圆厂的制程工程师,远芯连半条生产线都没有,怎么挖人?
“慢慢来。”苏星河见儿子皱眉,笑着拍了拍他的肩膀,安慰道:“听说建国在无尘室那边,是在研究制程技术吗?”
“嗯,算是。我让他摸索一下铜互连技术。”苏远山说着自嘲地一笑:“我们想得太远,走的太快,现在能帮得上忙的人很少。”
这里的铜互连技术,自然指的是把集成电路互连层,用铜金属材料取代现有的铝金属互连材料的一种工艺,相比较铝,铜良好的电阻和耐温性。是未来提高频率的核心制程技术。
台积电便是在微米制程下抢先开发出铜互连,一举超越了联电。
现在苏远山提出概念早了将近五年。
苏远山当然不可能掌握铜互连工艺,但他知道方向。
由于铜在二氧化硅中扩散系数很大,同时粘附性也很弱,因此在铜互连导线外面必须要有一层阻挡层来阻挡其扩散。而为了更好地镀铜,还需要先在制程电路上生成一层薄薄的cu籽晶层……
而生成cu籽晶层的方法,又有物理气相沉淀和化学气相沉淀以及原子层淀积之分。
当生成铜籽晶层后,便可进行电镀,最后抛光完成互联。
而目前,陈建国便在恶补相关知识,同时全国乱窜,到处拜访相关领域的专家。
作为师弟和课题提出者,苏远山只能从金钱上支持他……